Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFU530WF
RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFU530
BFU530WF Hakkında
BFU530WF, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 11GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 450mW maksimum güç yeteneği ile düşük sinyal amplifikasyon devrelerinde, LNA (Low Noise Amplifier) tasarımlarında ve RF ön-işlemci aşamalarında yaygın olarak uygulanır. 1.1dB tipik noise figure değeri ile gürültü açısından kritik uygulamalara uygundur. Küçük SC-70/SOT-323 paket ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına olanak sağlar. -40°C ile 150°C geniş sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 8V |
| Frequency - Transition | 11GHz |
| Gain | 12.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1.8GHz |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 450mW |
| Supplier Device Package | SC-70 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok