Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFU530VL
RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT143B
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-253-4
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFU530VL
BFU530VL Hakkında
BFU530VL, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 11GHz transition frekansı ile RF ve microwave uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 40mA kolektör akımı ve 12V VCEO dielektrik kırılma gerilimi ile çalışır. 15.5dB kazanç ve 1.1dB gürültü figürü (1.8GHz'de) sayesinde düşük gürültülü amplifikatör uygulamalarında, LNA (Low Noise Amplifier) devrelerinde ve RF sinyal işleme sistemlerinde kullanılır. Surface Mount SOT-143B paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, 450mW maksimum güç tüketimi ve -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 8V |
| Frequency - Transition | 11GHz |
| Gain | 15.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1.8GHz |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-253-4, TO-253AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 450mW |
| Supplier Device Package | SOT-143B |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok