Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFU530AVL
RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFU530
BFU530AVL Hakkında
BFU530AVL, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 11GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V breakdown voltajı ve 40mA maksimum collector akımı ile düşük güçlü RF amplifikatör, osilatör ve switch uygulamalarında çalışır. 1.1dB noise figure ile alıcı (receiver) front-end devrelerinde tercih edilir. TO-236-3 (SOT-23) yüzeye monte paketi ile kompakt tasarımlara uygundur. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 8V |
| Frequency - Transition | 11GHz |
| Gain | 12dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1.8GHz |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 450mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok