Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFU530AR
RF TRANS NPN 12V 11GHZ TO236AB
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFU530A
BFU530AR Hakkında
BFU530AR, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar transistördür. 11GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamaları için tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 450mW maksimum güç tüketimi ile çalışır. 900MHz'de 0.6dB noise figure ve 18dB kazanç özellikleri sayesinde düşük gürültülü RF amplifikatör devrelerinde, GSM/CDMA band uygulamalarında ve portable haberleşme cihazlarında kullanılır. Surface mount SOT-23 paketinde sunulan bu transistör, -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 8V |
| Frequency - Transition | 11GHz |
| Gain | 18dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.6dB @ 900MHz |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 450mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok