Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFU520WF

RF TRANS NPN 12V 10GHZ SOT323-3

Paket/Kılıf
SC-70
Seri / Aile Numarası
BFU520

BFU520WF Hakkında

BFU520WF, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar RF transistörüdür. 10GHz transition frequency ile radyo frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 450mW güç dissipation kapasitesine sahiptir. 1dB noise figure (@1.8GHz) ile düşük gürültü amplifikatörleri, RF ön uçları ve mikrodalga devrelerinde uygulanır. SC-70/SOT-323 yüzey montajı paketinde sunulan bu transistör, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 30mA collector akımı ve 13dB kazanç özelliği ile telefon sistemleri, uydu haberleşme ve 1-2GHz bant uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition 10GHz
Gain 13dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1dB @ 1.8GHz
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Active
Power - Max 450mW
Supplier Device Package SC-70
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok