Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFU520AR
RF TRANS NPN 12V 10GHZ TO236AB
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFU520A
BFU520AR Hakkında
BFU520AR, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar transistördür. 10GHz transition frequency ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 30mA maksimum collector akımı ile çalışan bu transistör, 900MHz'de 0.7dB noise figure sunmaktadır. 18dB kazanç ile güç amplifikatörleri, RF ön uçları ve geniş bant amplifikatör devrelerinde uygulanabilir. SOT-23 yüzeye monte paketi ile kompakt tasarımlar için idealdir. -40°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığında 450mW maksimum güç yönetimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 8V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 18dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.7dB @ 900MHz |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 450mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok