Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFT93,215

RF TRANS PNP 12V 5GHZ TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BFT93

BFT93,215 Hakkında

BFT93,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen PNP tipi RF transistördür. 5GHz transition frequency'si ile yüksek frekanslı uygulamalara uygun tasarlanmıştır. 12V maksimum collector-emitter gerilimi, 35mA maksimum collector akımı ve 300mW güç kapasitesi ile orta seviye RF sinyal amplifikasyonu gerçekleştirir. 2.4dB noise figure (500MHz'de) ile düşük gürültülü amplifikatör tasarımlarında kullanılabilir. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montaj paketidir. -175°C junction sıcaklığına kadar çalışabilir. Radyo frekansı haberleşme, mobil uygulamalar ve RF ön amplifikatör devrelerinde uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 35mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 30mA, 5V
Frequency - Transition 5GHz
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 2.4dB @ 500MHz
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 300mW
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Transistor Type PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok