Transistörler - JFET

BFT46,215

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BFT46

BFT46,215 Hakkında

BFT46,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. SOT-23 (TO-236-3) paketinde sunulan bu bileşen, 250 mW güç tüketimine ve 25 V drain-source gerilim kapasitesine sahiptir. Maksimum 10 mA drain akımı ile çalışabilen transistör, 5 pF input kapasitansı ve 1.2 V cutoff gerilimi özellikleriyle RF amplifikatör, elektronik anahtarlama ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. Vgs=0 koşulunda 200 µA IDSS değeri ile karakterize edilen bu JFET, düşük gürültü ve yüksek giriş empedansı gerektiren analog uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200 µA @ 10 V
Current Drain (Id) - Max 10 mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 1.2 V @ 0.5 nA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok