Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFT25A,215
RF TRANS NPN 5V 5GHZ TO236AB
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFT25A
BFT25A,215 Hakkında
BFT25A,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. 5V Vce (max) ile çalışan bu transistör, 5GHz'e kadar transition frequency'ye sahiptir. Maksimum 6.5mA collector akımı ve 50 (min) DC current gain ile RF sinyal işleme, LNA (Low Noise Amplifier) ve yüksek frekanslı ön kademeler gibi uygulamalarda kullanılır. 1.8-2dB tipik gürültü şekli (1GHz'de) ile düşük gürültü performansı sağlar. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montajlı paketinde sunulur. Maksimum 32mW güç tüketimine sahip bu bileşen, 175°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilir. Sabit hızlı RF devrelerinde, frekans karıştırıcılarda ve RF ön uçlarında yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 6.5mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 500µA, 1V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 32mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 (TO-236AB) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok