Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFT25,215

RF TRANS NPN 5V 2.3GHZ TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BFT25

BFT25,215 Hakkında

BFT25,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir RF NPN bipolar junction transistördür. 2.3GHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılır. 5V kollektör-emitter breakdown voltajı ve maksimum 6.5mA kollektör akımı ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 500MHz'de 5.5dB gürültü şekli (noise figure) ile RF alıcı ve düşük gürültü ön kademesi tasarımlarında tercih edilir. TO-236-3 (SOT-23) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, frekans karıştırıcılar, VCO (voltaj kontrollü osilatör) ve RF sinyal işleme devrelerinde uygulanır. Maksimum 30mW güç tüketimi ile pil beslemeli ve taşınabilir RF cihazlarda da kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 6.5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 1mA, 1V
Frequency - Transition 2.3GHz
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 5.5dB @ 500MHz
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 30mW
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok