Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFS481H6327XTSA1
RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFS481
BFS481H6327XTSA1 Hakkında
BFS481H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual NPN RF transistörüdür. 8GHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılan bu bileşen, 12V kollektör-emiter breakdown voltajı ve 20mA maksimum kollektör akımı ile RF amplifikatör, low-noise ön katman (LNA) ve mikser uygulamalarında tercih edilir. 0.9dB-1.2dB gürültü şekli ile 900MHz-1.8GHz bandında çalışmaya uygun olan transistör, Surface Mount montajı ve kompakt 6-VSSOP (SOT-363) paketlemesi ile mobil haberleşme, uydu haberleşmesi ve endüstriyel RF sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 20dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 175mW |
| Supplier Device Package | P-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok