Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFS17WH6393XTSA1
RF TRANS NPN SOT323-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFS17
BFS17WH6393XTSA1 Hakkında
BFS17WH6393XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistördür. SOT-323 (SC-70) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, RF uygulamaları için tasarlanmıştır. 1.4GHz transition frequency ve 3.5dB noise figure ile 800MHz'de çalışmaya uygun olan transistör, düşük gürültü amplifikatör (LNA), RF ön uç devreleri ve mobil iletişim alıcı tasarımlarında kullanılır. Maksimum 25mA kollektor akımı, 280mW güç disipasyonu ve 15V kollektor-emitter breakdown voltajı ile kompakt RF uygulamaları için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 2mA, 1V |
| Frequency - Transition | 1.4GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 800MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280mW |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok