Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFS17SE6327HTSA1
RF TRANS 2NPN 15V 1.4GHZ SOT363
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFS17
BFS17SE6327HTSA1 Hakkında
BFS17SE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen dual NPN RF transistörüdür. 1.4GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 25mA kollektör akımı ve 15V collector-emitter breakdown voltajı ile düşük güç RF devrelerinde yer alır. 3-5dB tipik noise figure değeri ile düşük gürültü preamplifier, LNA ve RF front-end uygulamalarında tercih edilir. Surface mount SOT-363 (SC-88) paketinde sunulan bileşen, mobil haberleşme, FM alıcılar ve benzer RF sistemlerinde kullanılabilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bileşen, 280mW maksimum güç tüketimi ile sınırlandırılmıştır. Bileşen halen ticari olarak tedarik edilememektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 2mA, 1V |
| Frequency - Transition | 1.4GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3dB ~ 5dB @ 800MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 280mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok