Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFS17PE6327HTSA1
RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFS17PE6327
BFS17PE6327HTSA1 Hakkında
BFS17PE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipinde RF transistörlü entegre devredir. 1.4GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT-23-3 (TO-236-3) paket içinde sunulan bu bileşen, 15V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 25mA maksimum collector akımı ile düşük güç RF amplifikatör devreleri, gürültü düşük ön uç (LNA) tasarımları ve RF switch uygulamalarında yer alır. 3.5dB ile 5dB arasında gürültü figürü (800MHz'de) sunarak yüksek hassasiyetli alıcı devrelerinde tercih edilir. 280mW maksimum güç dağılımı ile kompakt boyutlu tasarımlara uygun olup, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 2mA, 1V |
| Frequency - Transition | 1.4GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3.5dB ~ 5dB @ 800MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power - Max | 280mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok