Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFS17NTA
RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT23-3
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFS17NTA
BFS17NTA Hakkında
BFS17NTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 3.2GHz transition frequency ile RF ve mikrowave uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. 11V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 50mA collector akımı ile düşük sinyal uygulamalarına uygundur. 56 minimum DC current gain (hFE) değeri ile stabil amplifikasyon sağlar. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir performans gösterir. Mobil haberleşme, wireless sistemler, receiver ve transmitter devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 10V |
| Frequency - Transition | 3.2GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 330mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 11V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok