Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFS17HTA

RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BFS17

BFS17HTA Hakkında

BFS17HTA, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörüdür (BJT). RF uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, 1.3GHz transition frequency ile yüksek frekans çalışmalarında kullanılır. Maksimum 25mA collector akımı, 15V collector-emitter breakdown voltajı ve 330mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 4.5dB tipik noise figure değeriyle 500MHz frekansında iyi sinyal-gürültü oranı sağlar. SOT-23-3 (TO-236) yüzeye monte paket format ile küçük PCB tasarımlarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Haberleşme cihazları, RF amplifikatörler ve düşük güçlü RF devrelerinde uygulanır. Komponentin ürün statüsü obsolete olup, stok tükenmesi halinde alternatif transistör aranması önerilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 25mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition 1.3GHz
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 4.5dB @ 500MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 330mW
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok