Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFS17,215

RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BFS17

BFS17,215 Hakkında

BFS17,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar junction transistörüdür. 1GHz transition frequency ile RF uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 15V collector-emitter breakdown voltajı ve 25mA maksimum collector akımı ile çalışır. 4.5dB gürültü şekli (500MHz'de) ile haberleşme, amplifikasyon ve RF devre tasarımlarında tercih edilir. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montajı paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, 150°C çalışma sıcaklığında 300mW güç tüketebilir. DC akım kazancı 2mA, 1V koşullarında minimum 25'tir. Geniş bant genişliği ve düşük gürültü karakteristiği sayesinde mobil haberleşme ve tüketici RF devreleri için uygulanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 25mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 25 @ 2mA, 1V
Frequency - Transition 1GHz
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 4.5dB @ 500MHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 300mW
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok