Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFS 483 E6327
RF TRANS 2 NPN 12V 8GHZ SOT363-6
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 6-TSSOP
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFS 483
BFS 483 E6327 Hakkında
BFS 483 E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen dual NPN RF transistörüdür. 8GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 65mA maksimum collector akımı ile düşük sinyal RF amplifikasyonu, low-noise uygulamaları ve frekans konversiyon devrelerinde çalışabilir. 0.9dB-1.4dB noise figure (900MHz-1.8GHz) ve 19dB gain karakteristikleri ile yüksek frekanslı haberleşme, uydu iletişimi ve test ekipmanları gibi uygulamalarda tercih edilir. Surface mount SOT-363 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. Dual NPN yapısı, simetriye ihtiyaç duyulan push-pull ve diferansiyel amplifikatör tasarımlarında avantaj sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 15mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 19dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 450mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT363-PO |
| Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok