Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFS 17P E8211
RF TRANS NPN SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFS 17P
BFS 17P E8211 Hakkında
BFS 17P E8211, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar transistördür. RF uygulamaları için tasarlanan bu bileşen, 1.4GHz transition frekansı ile ultra yüksek frekanslı sinyal işleme ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 25mA maksimum kolektor akımı, 3.5dB gürültü faktörü (800MHz'de) ve 15V kolektor-emitter breakdown voltajı ile radyo frekans devrelerinde, kablosuz iletişim sistemlerinde ve RF front-end uygulamalarında tercih edilmektedir. Surface mount SOT-23-3 paket tipinde sunulan bu transistör, düşük güç tüketimi (280mW max) ve kompakt boyutu sayesinde küçük form faktörlü PCB tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 2mA, 1V |
| Frequency - Transition | 1.4GHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 800MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 280mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok