Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR949L3E6327
RF BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR949
BFR949L3E6327 Hakkında
BFR949L3E6327, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN türü RF bipolar transistördür. 9GHz transition frequency ve 21.5dB gain değerleriyle RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Surface mount SC-101 (SOT-883) paketinde sunulan bu transistör, 50mA maksimum kollektör akımı ve 250mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 1GHz'de 1-2.5dB aralığında düşük noise figure karakteristiği, hassas RF alıcı ve düşük gürültü amplifikatör devrelerinde tercih edilmesini sağlar. 10V kollektör-emitter breakdown voltajı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığıyla, mobil haberleşme, GPS, uydu haberleşmesi ve diğer RF uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 6V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Gain | 21.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1dB ~ 2.5dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | PG-TSLP-3-1 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok