Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR93AE6327HTSA1
RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR93AE
BFR93AE6327HTSA1 Hakkında
BFR93AE6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 6GHz geçiş frekansı ve 12V maksimum collector-emitter gerilimi ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 90mA maksimum collector akımı ve 300mW güç yönetim kapasitesi ile çalışır. 1.5-2.6dB gürültü figürü 900MHz-1.8GHz bandında ölçülmüştür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, gürültü düşük amplifikatörler, RF ön yükselteçleri, karışırıcı ve osilatör devrelerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 90mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
| Frequency - Transition | 6GHz |
| Gain | 9.5dB ~ 14.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 300mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok