Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR843EL3E6327XTSA1
RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 3-XFDFN
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR843
BFR843EL3E6327XTSA1 Hakkında
BFR843EL3E6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. 2.6V collector-emitter breakdown voltajı ve 55mA maksimum collector akımı ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 25.5dB kazanç değeri ile düşük sinyal amplifikasyonu gerektiren devrelerde tercih edilir. Surface mount TSLP-3-10 paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uygunluk sağlar. Maksimum 125mW güç disipasyonu kapasitesi ile sınırlı güçlü RF devrelerinde kullanılabilir. İletişim sistemleri, radar, sensör ön uçları ve mikro dalga uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C junction sıcaklığına kadar çalışabilmesi ile yüksek sıcaklık ortamlarında çalışan uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55mA |
| Gain | 25.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-XFDFN |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 125mW |
| Supplier Device Package | PG-TSLP-3-10 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.6V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok