Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR840L3RHESDE6327XTSA1
RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR840L3
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Hakkında
BFR840L3RHESDE6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 75GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılan bu bileşen, düşük gürültü seviyesi (0.5dB @ 450MHz) ve yüksek kazanç (27dB) özellikleri sayesinde ön aşama amplifikatörleri, osilatörler ve frekans çoğaltıcı devrelerinde tercih edilir. SC-101/SOT-883 yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun olan transistör, 2.6V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 150°C işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar. 35mA maksimum kolektör akımı ve 75mW maksimum güç derecelendirmesi ile mobil iletişim, uydu haberleşmesi ve test ekipmanları gibi uygulamalarda kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 10mA, 1.8V |
| Frequency - Transition | 75GHz |
| Gain | 27dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.5dB @ 450MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75mW |
| Supplier Device Package | PG-TSLP-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.6V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok