Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR750L3RHE6327XTSA1
RF TRANS NPN 4.7V 37GHZ TSLP-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR750L3RHE6327XTSA1
BFR750L3RHE6327XTSA1 Hakkında
BFR750L3RHE6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir RF NPN bipolar junction transistördür. 37GHz transition frequency ile ultra yüksek frekans uygulamaları için tasarlanmıştır. 4.7V collector-emitter breakdown voltajı ve 90mA maksimum collector akımı ile çalışan bu bileşen, 1.8GHz-6GHz aralığında 0.6dB-1.1dB noise figure sağlar. 21dB gain özelliği ile RF amplifier, mixer ve ossilatör devrelerinde kullanıma uygundur. 360mW maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile mobil iletişim, uydu haberleşme ve yüksek frekans veri aktarım sistemlerinde yer alır. Surface mount SC-101/SOT-883 paketinde sunulan ve 150°C junction temperature'da çalışabilen bu transistör, kompakt RF front-end tasarımları için tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 90mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 60mA, 3V |
| Frequency - Transition | 37GHz |
| Gain | 21dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 360mW |
| Supplier Device Package | PG-TSLP-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.7V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok