Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR750L3RHE6327
RF BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR750L3RHE6327
BFR750L3RHE6327 Hakkında
BFR750L3RHE6327, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek frekans RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar transistördür. SC-101 (SOT-883) SMD paketinde sunulan bu komponent, 37GHz transition frequency ve 21dB gain değerleri ile düşük gürültülü RF amplifikatör devrelerinde kullanılır. 1.8GHz ile 6GHz frekans aralığında 0.6-1.1dB noise figure performansı gösterir. Maksimum 90mA collector akımı, 360mW güç tüketimi ve 160 minimum DC current gain (hFE) ile karakterize edilen komponent, uydu haberleşme, mobil cihazlar, radar sistemleri ve geniş bant RF alıcı devrelerinde uygulanabilir. Maksimum 4.7V VCE(max) ile çalışabilir ve 150°C'ye kadar sıcaklık ortamında güvenli işlem yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 90mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 60mA, 3V |
| Frequency - Transition | 37GHz |
| Gain | 21dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 1.1dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 360mW |
| Supplier Device Package | PG-TSLP-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.7V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok