Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR740L3RHE6327XTSA1
RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ TSLP-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR740L3RHE6327
BFR740L3RHE6327XTSA1 Hakkında
BFR740L3RHE6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir RF NPN bipolar transistördür. 42GHz geçiş frekansı ile yüksek frekans uygulamaları için tasarlanmıştır. 4.7V maksimum collector-emitter breakdown voltajı ve 30mA maksimum collector akımı ile çalışır. 160mW maksimum güç yönetim kapasitesiyle, 1.8GHz ile 6GHz arasında 0.5dB ile 0.8dB arasında gürültü figürü sunmaktadır. 24.5dB kazanç özelliğine sahiptir. SC-101/SOT-883 yüzey montaj paketi ile mikro dalga amplifikatörleri, endüstriyel RF alıcı-verici devreleri ve uydu haberleşme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 25mA, 3V |
| Frequency - Transition | 42GHz |
| Gain | 24.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 160mW |
| Supplier Device Package | PG-TSLP-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.7V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok