Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFR540,215

RF TRANS NPN 15V 9GHZ TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BFR540

BFR540,215 Hakkında

BFR540,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar RF transistörüdür. 9GHz transition frequency ile ultra yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 120mA collector akımı ve 15V breakdown voltajı ile karakterizedir. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montajlı paket içerisinde sunulur. 1.3dB-2.4dB arasında noise figure değerine sahiptir. 500mW güç kapasitesi ile RF amplifikatör, osilatör, mixer ve alıcı devrelerinde uygulanmak üzere geçerlidir. -55°C ile +175°C çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Kompakt SMD formatı ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 120mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 40mA, 8V
Frequency - Transition 9GHz
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 500mW
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 15V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok