Transistörler - JFET

BFR31,215

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BFR31

BFR31,215 Hakkında

BFR31,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel JFET (Junction Field Effect Transistor) transistördür. SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 10 mA drain akımı ve 250 mW güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Vdss değeri 25 V ile belirtilen bu transistör, 4 pF giriş kapasitansı (Ciss) ve 2.5 V kesme voltajı (VGS off) özellikleriyle karakterize edilir. Geniş bant genişliği, düşük parazit kapasitansı ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde radyo frekans uygulamaları, anahtarlama devreleri, impedans dönüştürme ve işaret seçme uygulamalarında kullanılır. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1 mA @ 10 V
Current Drain (Id) - Max 10 mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 2.5 V @ 0.5 nA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok