Transistörler - JFET

BFR30,215

JFET N-CH 10MA 250MW SOT23

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BFR30

BFR30,215 Hakkında

BFR30,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel JFET transistördür. 10 mA maksimum drain akımı ve 250 mW güç kapasitesine sahip bu bileşen, SOT-23 yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Drain-Source gerilimi 25 V, 4 mA @ 10V Idss değerine ve 5 V cut-off voltajına sahiptir. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında çalışabilen bu JFET, düşük gürültü ve düşük distorsiyon gerektiren analog uygulamalarda, düşük seviye sinyal işleme, ses ön amplifikatörleri ve sensitif ölçüm devreleri gibi alanlarda tercih edilir. Bileşen artık kullanılmayan (obsolete) bir parça olarak sınıflandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 4 mA @ 10 V
Current Drain (Id) - Max 10 mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 250 mW
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 5 V @ 0.5 nA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok