Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR193L3E6327XTMA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-101
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR193
BFR193L3E6327XTMA1 Hakkında
BFR193L3E6327XTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. SC-101 (SOT-883) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 8GHz transition frequency ile RF ve mikro dalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 80mA collector akımı ile düşük güç RF amplifikatörleri, ön aşama amplifikatörleri ve düşük gürültülü uygulamalarda tercih edilir. 1dB-1.6dB gürültü figürü ve 12.5dB-19dB kazanç özellikleriyle 900MHz-1.8GHz frekans bandında etkin çalışır. Mobil haberleşme, WiFi, LTE ve diğer yüksek frekans sistemlerinin tasarımında yaygın olarak uygulanır. Maksimum 580mW güç tüketimi ile sınırlı güç kaynağı olan cihazlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 12.5dB ~ 19dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 580mW |
| Supplier Device Package | PG-TSLP-3-1 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok