Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR193FH6327XTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR193
BFR193FH6327XTSA1 Hakkında
BFR193FH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 8GHz transition frequency ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maximum 80mA collector akımı, 12V collector-emitter breakdown voltajı ve 580mW güç yönetimi kapasitesi ile radyo frekans amplifikatör devrelerinde, LNA (Low Noise Amplifier) tasarımlarında ve 900MHz-1.8GHz bant uygulamalarında çalışır. 1dB-1.6dB gürültü şekli (Noise Figure) özellikleri ile hassas RF sinyal işleme gerektiren alıcı devrelerine uygundur. Surface mount SOT-723 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 12.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 580mW |
| Supplier Device Package | PG-TSFP-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok