Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR183WH6327XTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR183
BFR183WH6327XTSA1 Hakkında
BFR183WH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN RF transistörüdür. 8GHz transition frequency ve 18.5dB kazanç özellikleriyle 900MHz ile 1.8GHz frekans aralığında 0.9dB ile 1.4dB arasında noise figure sağlar. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 450mW güç tüketimiyle tasarlanmıştır. SOT-323 yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, mobil haberleşme, geniş bant amplifikatörler ve RF alıcı uygulamalarında kullanılır. 65mA maksimum collector akımı ve 70 (minimum) DC akım kazancı ile çeşitli RF devrelerinde orta güç amplifikasyonu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 15mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 18.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 450mW |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok