Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR183E6327HTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR183
BFR183E6327HTSA1 Hakkında
BFR183E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 8GHz transition frequency'ye sahip bu RF transistörü, düşük gürültü figürü (0.9-1.4dB @ 900MHz-1.8GHz) ile özellikle AM ve FM RF amplifikatör uygulamalarında tercih edilir. 12V Vce(br) diyelectric dayanımı, 450mW maksimum güç ve 65mA kolektör akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. SOT-23-3 yüzey montaj paketinde sunulan komponent, cep telefonları, Wi-Fi modülleri, radar sistemleri ve telsiz haberleşme ekipmanlarındaki giriş aşaması preamplifikatör ve driver amplifikatör uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında kararlı performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 15mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 17.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 450mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok