Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR182E6327HTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR182
BFR182E6327HTSA1 Hakkında
BFR182E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen NPN tipi RF transistördür. SOT-23-3 (TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 8GHz'e kadar çalışabilen frekans aralığında optimize edilmiştir. 12V maksimum kolektor-emiter gerilimi ve 35mA maksimum kolektor akımı ile sınırlandırılmıştır. 0.9dB-1.3dB gürültü figürü ile 900MHz-1.8GHz aralığında çalışır. 12dB-18dB kazanç özelliğine sahip olan transistör, RF amplifikasyon, LNA (Low Noise Amplifier) uygulamaları ve yüksek frekans sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 250mW maksimum güç yönetimi kabiliyeti ile mobil haberleşme, uydu haberleşmesi ve radyo frekans entegre devrelerinde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 12dB ~ 18dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok