Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR182E-6327
RF N-CHANNEL MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR182E
BFR182E-6327 Hakkında
BFR182E-6327, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. RF uygulamaları için tasarlanan bu bileşen, 8GHz transition frekansında çalışabilir ve 1.8GHz'de 1.3dB noise figure sunmaktadır. 35mA maksimum collector akımı, 250mW maksimum güç ve 9.5dB kazançla RF amplifikasyon, low-noise preamplifier, sinyal şartlandırma ve kablosuz haberleşme devrelerinde kullanılır. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 12V collector-emitter breakdown voltajına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 9.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.3dB @ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 250mW |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok