Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR181WH6327XTSA1
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR181
BFR181WH6327XTSA1 Hakkında
BFR181WH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış NPN tipinde bipolar transistördür. 8GHz transition frequency ve 19dB kazanç ile yüksek frekanslı sinyal işleme devrelerinde kullanılır. 12V maksimum collector-emitter gerilimi, 20mA maksimum collector akımı ve 175mW maksimum güç derecelendirmesi ile çalışır. 900MHz-1.8GHz aralığında 0.9-1.2dB noise figure özellikleri taşır. Surface mount SOT-323 paketinde sunulan bu transistör, mobil iletişim cihazları, RF amplifikatörleri, düşük gürültülü alıcı ön aşamaları ve VHF/UHF frekans uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 8V |
| Frequency - Transition | 8GHz |
| Gain | 19dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 175mW |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok