Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFR181E6327HTSA1

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BFR181

BFR181E6327HTSA1 Hakkında

BFR181E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 8GHz transition frekansı ile RF (radyo frekans) uygulamalarında kullanılan bu bileşen, 12V kolektör-emitör kırılım voltajına ve 20mA maksimum kolektör akımına sahiptir. 0.9dB ile 1.2dB arasında gürültü şekli (900MHz-1.8GHz) sağlayan BFR181, mobil haberleşme, geniş bant amplifikatörler, düşük gürültülü alıcı devreleri ve RF sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 175mW güç kapasitesi ve SOT-23-3 yüzey montajlı paket, kompakt ve verimli devre tasarımları için uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 20mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 8V
Frequency - Transition 8GHz
Gain 18.5dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 175mW
Supplier Device Package PG-SOT23
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok