Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFR106E6327HTSA1
RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFR106
BFR106E6327HTSA1 Hakkında
BFR106E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 5GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 15V maksimum collector-emitter gerilimi ve 210mA maksimum collector akımı ile düşük sinyal amplifikasyon devrelerinde, RF ön amplifikatörlerinde, LNA (Low Noise Amplifier) tasarımlarında ve haberleşme ekipmanlarında uygulanabilir. 1.8-3dB gürültü figürü ve 8.5-13dB kazanç karakteristikleri ile 900MHz ile 1.8GHz frekans aralığında etkili performans sunar. SOT-23-3 (SC-59) yüzey montaj paketi ile kompakt PCB tasarımlarına uyumludur. Maksimum 700mW güç tüketimi ile uzun süreli çalışmaya uygun olan bu transistör, mobil haberleşme, uydu iletişimi ve endüstriyel RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 210mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 70mA, 8V |
| Frequency - Transition | 5GHz |
| Gain | 8.5dB ~ 13dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT23 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 15V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok