Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFR 193W E6327

RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

Paket/Kılıf
SC-70
Seri / Aile Numarası
BFR193W

BFR 193W E6327 Hakkında

BFR 193W E6327, Infineon Technologies tarafından üretilen bir NPN tipi RF transistörüdür. 8GHz transition frequency ile yüksek frekanslı uygulamalar için tasarlanmıştır. 12V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 80mA collector akımı ile RF amplifikatör devrelerinde kullanılmaya uygundur. 1dB ile 1.6dB arasında noise figure özelliği sayesinde düşük gürültülü uygulamalarda tercih edilir. 10.5dB ile 16dB arasında kazanç sunmaktadır. SC-70 (SOT-323) paketinde sunulan bu transistör, mobil iletişim, RF ön uç amplifikasyonu ve radar uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. Maksimum 580mW güç tüketimi ile verimli çalışmaktadır. Parça şu anda üretim dışıdır (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition 8GHz
Gain 10.5dB ~ 16dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-70, SOT-323
Part Status Obsolete
Power - Max 580mW
Supplier Device Package SOT-323
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok