Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFQ67,215

RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
BFQ67

BFQ67,215 Hakkında

BFQ67,215, NXP Semiconductors tarafından üretilen bir NPN tipi RF transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu komponent, 8GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V collector-emitter breakdown voltage ve 50mA maksimum collector akımı ile sınırlı güç uygulamalarında çalışır. 1.3-3dB noise figure karakteristiği sayesinde düşük gürültülü RF amplifikatör devrelerinde, alıcı kaskadlarında ve frekans çoğullama uygulamalarında tercih edilir. 300mW maksimum güç tüketimi ile düşük güçlü RF sinyal işleme tasarımlarında uygun bir seçimdir. Maksimum 175°C çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. Not: Bu komponent artık üretilmemektedir (obsolete status).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 5V
Frequency - Transition 8GHz
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Operating Temperature 175°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Obsolete
Power - Max 300mW
Supplier Device Package SOT-23 (TO-236AB)
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok