Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP843FH6327XTSA1
RF TRANS NPN 2.25V TSFP-4-1
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP843
BFP843FH6327XTSA1 Hakkında
BFP843FH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistördür. 450MHz ile 10GHz frekans aralığında çalışabilen bu bileşen, 0.8dB ile 1.7dB arasında gürültü şekli sunarak hassas sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. 55mA maksimum kolektör akımı, 13.5dB ile 25dB arasında kazanç ve 2.25V kırılma gerilimi özelikleriyle, RF amplifikasyon, ön kuvvetlendiriciler ve gürültü düşük amplifikasyon devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 125mW maksimum güç tüketimiyle mobil iletişim, uydu haberleşmesi ve yüksek frekanslı test ekipmanlarında yer alır. 4-SMD flat lead paket tipinde surface mount uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 55mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 15mA, 1.8V |
| Gain | 13.5dB ~ 25dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.7dB @ 450MHz ~ 10GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 125mW |
| Supplier Device Package | PG-TSFP-4-1 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok