Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP840FESDH6327XTSA1
RF TRANS NPN 2.6V 85GHZ 4TSFP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP840
BFP840FESDH6327XTSA1 Hakkında
BFP840FESDH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 85GHz transition frequency ve 35dB kazanç özelliğiyle RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılır. 2.6V maksimum collector-emitter gerilimi, 35mA maksimum collector akımı ve 0.75dB tipik gürültü şekli (5.5GHz'de) özellikleriyle hassas RF alıcı devreleri, LNA (Low Noise Amplifier) tasarımları ve yüksek frekans amplifikatör devrelerinde tercih edilir. Surface mount 4-TSFP paket içinde sunulan bileşen, 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ve 75mW maksimum güç tüketimi değerleriyle endüstriyel ve telekomunikasyon uygulamalarına uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 10mA, 1.8V |
| Frequency - Transition | 85GHz |
| Gain | 35dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.75dB @ 5.5GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75mW |
| Supplier Device Package | PG-TSFP-4-1 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.6V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok