Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP840ESDH6327XTSA1
RF TRANS NPN 2.25V 80GHZ SOT343
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP840
BFP840ESDH6327XTSA1 Hakkında
BFP840ESDH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen bir RF NPN bipolar junction transistörüdür. 80GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.25V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 35mA collector akımı ile düşük güç uygulamalarına uygundur. 0.85dB noise figure ile 5.5GHz'te gürültü performansı sunmaktadır. SC-82A (SOT-343) paketinde sunulan bu transistör, mobil iletişim RF ön uç devreleri, düşük gürültülü amplifikatörler ve yüksek frekans sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 10mA, 1.8V |
| Frequency - Transition | 80GHz |
| Gain | 18.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.85dB @ 5.5GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 75mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4-2 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 2.25V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok