Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP740FH6327XTSA1
RF TRANS NPN 4.7V 42GHZ 4TSFP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP740
BFP740FH6327XTSA1 Hakkında
BFP740FH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans RF NPN bipolar transistördür. 42GHz transition frequency ile ultra yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.7V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 30mA collector akımı ile çalışır. 0.5-0.75dB gürültü şekli (1.8GHz-6GHz) sayesinde düşük gürültü kuvvetlendiricileri, mikser devreler ve frekans çoklayıcı uygulamalarında yer alır. Surface mount 4-TSFP paket ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır. 27.5dB kazanç değeri ile RF ön uç tasarımlarında, uydu haberleşme sistemlerinde ve mikrodalga devrelerde tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 25mA, 3V |
| Frequency - Transition | 42GHz |
| Gain | 27.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 160mW |
| Supplier Device Package | 4-TSFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.7V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok