Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP740FESDH6327XTSA1
RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP740F
BFP740FESDH6327XTSA1 Hakkında
BFP740FESDH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistörtür. 47GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılan bu komponent, 4.7V maksimum collector-emitter geriliminde 45mA'ye kadar akım kapasitesine sahiptir. 160 @ 25mA, 3V koşullarında minimum 160 DC gain değeri sunmaktadır. 0.5dB ile 1.45dB arasında gürültü figürü 150MHz ile 10GHz frekans aralığında belirtilmiştir. 160mW maksimum güç ve -150°C junction sıcaklığı desteği ile çalışan bu transistör, 4-TSFP SMD paketinde sunulmaktadır. Uydu haberleşmesi, radar sistemleri, geniş bant amplifikatörler ve yüksek frekans alıcı devreleri gibi RF uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 45mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 25mA, 3V |
| Frequency - Transition | 47GHz |
| Gain | 9dB ~ 31dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 160mW |
| Supplier Device Package | 4-TSFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.7V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok