Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

BFP650H6327XTSA1

RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4

Paket/Kılıf
SC-82A
Seri / Aile Numarası
BFP650H6327

BFP650H6327XTSA1 Hakkında

BFP650H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistördür. 37GHz transition frekansı ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. 4.5V collector-emitter bozulma voltajı ve 150mA maksimum kollektor akımı ile çalışır. 10.5dB ile 21.5dB arasında kazanç sağlar ve 1.8GHz ile 6GHz aralığında 0.8dB ile 1.9dB arasında gürültü şekli sunur. Surface mount SC-82A/SOT-343 paketi ile küçük boyutlu uygulamalara uygun hale getirilmiştir. 500mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi vardır. Haberleşe, radar, uydu ve diğer RF ön işlemçi devrelerinde yaygın olarak kullanılır. 150°C junction sıcaklığında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 80mA, 3V
Frequency - Transition 37GHz
Gain 10.5dB ~ 21.5dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SC-82A, SOT-343
Part Status Active
Power - Max 500mW
Supplier Device Package PG-SOT343-4
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4.5V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok