Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP650FH6327XTSA1
RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP650
BFP650FH6327XTSA1 Hakkında
BFP650FH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans RF NPN bipolar transistörlüdür. 42GHz transition frequency ile çalışan bu bileşen, 4-TSFP yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 150mA kolektör akımına ve 4.5V VCEO'ya sahip olan transistör, 1.8GHz-6GHz aralığında 0.8dB-1.9dB noise figure değerleri gösterir. 500mW maksimum güç yayma kapasitesi ile tasarlanmıştır. Gain değerleri 11dB-21.5dB arasında değişmektedir. 150°C işletme sıcaklığında stabil çalışma özellikleri nedeniyle, RF amplifikasyon, mikrovdalga haberleşme sistemleri, uydu iletişimi ve geniş bant sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. SMD paketlemesi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 80mA, 3V |
| Frequency - Transition | 42GHz |
| Gain | 11dB ~ 21.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500mW |
| Supplier Device Package | 4-TSFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok