Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP650E6327HTSA1
RF TRANS NPN 4.5V 37GHZ SOT343-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP650
BFP650E6327HTSA1 Hakkında
BFP650E6327HTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar transistörüdür. 37GHz transition frequency ile RF ve mikrodalga uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.5V collector-emitter breakdown voltajı ve 150mA maksimum kollektor akımı ile düşük güç RF devrelerinde sinyal amplifikasyonu, osilatör ve mixer uygulamalarında çalışır. 1.8GHz-6GHz frekans aralığında 0.8-1.9dB noise figure ile gürültü açısından optimize edilmiştir. SC-82A/SOT-343 yüzey montaj paketinde üretilen bu transistör, mobil iletişim, radar, uydu haberleşme ve yüksek frekans test ekipmanları gibi RF sistemlerinde kullanılır. 110 minimum DC current gain ve 500mW maksimum güç kapasitesi ile orta güç RF amplifikatör tasarımlarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 80mA, 3V |
| Frequency - Transition | 37GHz |
| Gain | 10.5dB ~ 21.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok