Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP640H6327XTSA1
RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- SC-82A
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP640H6327
BFP640H6327XTSA1 Hakkında
BFP640H6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen yüksek frekans RF transistörüdür. NPN tipi bu bipolar transistör, 40GHz transition frequency ile çalışarak, 4.5V collector-emitter breakdown voltajında maksimum 50mA kolektör akımı sağlar. DC akım kazancı (hFE) 30mA/3V'de 110 minimum değere sahiptir. 1.8GHz ile 6GHz aralığında 0.65dB ile 1.2dB arasında noise figure gösterir. Maksimum 200mW güç tüketimi ile SCO-82A/SOT-343 yüzey montaj paketinde sunulur. Bu transistör, 1.2dB kazanç sağlayarak RF uygulamalarında, dar bant amplifikatörler ve mikrovdalga devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
| Frequency - Transition | 40GHz |
| Gain | 12.5dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-82A, SOT-343 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | PG-SOT343-4 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok