Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
BFP640FH6327XTSA1
RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- BFP640
BFP640FH6327XTSA1 Hakkında
BFP640FH6327XTSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen RF NPN bipolar transistördür. 40GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.5V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 50mA collector akımı ile çalışabilir. 23dB kazanç ve 0.65-1.2dB gürültü figürü 1.8GHz-6GHz frekans aralığında belirtilmiştir. Maksimum 200mW güç tüketimi ve 150°C junction sıcaklığında çalışabilir. Surface mount 4-TSFP paket formatında sunulur. Radyo frekans amplifikatörleri, low noise amplifiers (LNA) ve ultra yüksek frekans haberleşme sistemlerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 110 @ 30mA, 3V |
| Frequency - Transition | 40GHz |
| Gain | 23dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 4-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | 4-TSFP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 4.5V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok